快速热处理RTP在diamond器件中的应用
图1 金刚石二极管DBP的制备工艺流程图
图3 LRTA-SBD、DBP1-SBD、DBP2-SBD和H-SBD的正反向J-V特征
√ 快速升温的高温场能够促进金属层/碳层的热扩散,获得更低的接触电阻,形成欧姆接触;
√ 高温条件有助于金属与金刚石表面的碳原子发生反应,形成了碳化物层,从而实现了势垒的降低,形成低势垒的肖特基接触。
√ 气氛填充有助于避免金属电极或碳材料的高温氧化,降低表面电阻率,或者不同流速的调控可以对反应速率进行细微控制。
此外,嘉仪通快速退火炉(RTP,Rapid Thermal Processing)产品,采用红外辐射加热及冷壁技术,可实现对薄膜材料的快速升温和降温,同时搭配超高精度的温度控制系统,可达到极佳的温场均匀性和稳定性。
嘉仪通()快速退火炉系列可处理1-12吋样品,对材料的金属合金化、快速热处理、快速热退火、快速热氧化及快速热氮化等研究和生产起到重要作用。
参考文献:
[1]Huang A Q. New unipolar switching power device figures of merit[J]. IEEE Electron Device Letters, 2004, 25(5): 298-301.
[2]Isberg J, Hammersberg J, Johansson E, et al. High carrier mobility in single-crystal plasma-deposited diamond[J]. Science, 2002, 297(5587): 1670-1672.
[3]Wang J, Zhao D, Shao G, et al. Fabrication of dual-barrier planar structure diamond Schottky diodes by rapid thermal annealing[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(3): 1176-1180.
[4]Gupta S K, Azam A, Akhtar J. Improved electrical parameters of vacuum annealed Ni/4H-SiC (0 0 0 1) Schottky barrier diode[J]. Physica B: Condensed Matter, 2011, 406(15-16): 3030-3035.
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